Kako testirati da li je tranzistor{0}}efekta polja dobar ili loš pomoću multimetra
Zbog prisustva prigušne diode između D-S polova najčešće korištenih MOSFET-ova, performanse MOSFET-a se mogu odrediti korištenjem nivoa diode digitalnog multimetra za detekciju pada napona diode između D-S polova. Detaljna metoda detekcije je sljedeća.
Okrenite mjenjač digitalnog multimetra u diodni način, povežite crvenu sondu na S pol, a crnu sondu na D pol. U ovom trenutku, ekran multimetra će prikazati vrijednost pada napona diode između D-S polova. Vrijednost pada napona tranzistora sa efektom polja velike{3}}e snage{4}} obično je između 0,4 i 0,8 V (uglavnom oko 0,6 V); Ne bi trebalo biti pada napona između crne sonde spojene na S pol, crvene sonde spojene na D pol, i G pola i drugih pinova (na primjer, u tranzistoru sa efektom N-kanalnog polja-efekta, P-kanalni tranzistor s poljem-efekta tranzistora sa efektom P-kanalnog polja-tranzistor sa efektom napona bi trebao imati vrijednost pada napona kada je crvena sonda spojena na crnu sondu po spojena na crnu sondu. stub). Naprotiv, to ukazuje da je tranzistor sa efektom polja -oštećen.
Tranzistori s efektom polja obično se oštećuju kvarom, a pinovi su obično u kratkom spoju. Stoga, pad napona između pinova također treba biti OV. Nakon svakog mjerenja MOS tranzistora sa efektom polja, mala količina naboja će se napuniti na G-S spojnom kondenzatoru, uspostavljajući napon UGS. Prilikom ponovnog mjerenja, igle se možda neće pomicati (ako koristite digitalni multimetar, greška mjerenja će biti velika). U ovom trenutku kratko spojite G-S polove.
Oštećenje tranzistora sa efektom polja - obično je uzrokovano kvarom i kratkim spojem. U ovom trenutku, mjereći multimetrom, igle su obično međusobno povezane. Nakon -oštećenja tranzistora sa efektom polja, generalno nema vidljivog oštećenja izgleda. Za jake prekostrujno oštećene tranzistore polja{5}}može eksplodirati.
